中国PRINANO、ASML装置なしで光チップウエハー製造に成功 ── ナノインプリントでコスト1/10

概要

中国企業PRINANOがナノインプリントリソグラフィ（NIL）を用いて8インチ光チップウエハーの製造に成功したと発表。「DUV露光装置を使わずにコストを約10分の1に抑えた」と主張しており、ASML製装置の輸入が困難な中国半導体業界にとって光明となる可能性がある。

詳細

• 手法: PL-AS vacuum air-cushion nanoimprint lithography。ウエハー製造用に設計され、10nm以下の分解能を実現すると主張
• 適用範囲: 光通信やLiDARで使われる光チップ（フォトニックチップ）のウエハーレベル製造が可能
• 背景: オランダ政府が米国の要請を受けASML製品の中国向け販売を規制しており、中国は半導体製造装置の入手が困難な状況
• 課題と懐疑論: 生産量・歩留まりの検証データは非開示。SemiAnalysisのアナリストは「NILがASMLの優位性を揺るがす可能性は低い。真のコスト優位性はスループット・テンプレート製造・歩留まりに依存する」と指摘
• 競合: キヤノン・大日本印刷・キオクシアもNIL共同開発を進め、四日市工場で検証中

参照

• 出典: https://gigazine.net/news/20260610-china-prinano-chip-without-asml/
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